《半导体信息》双月刊征稿

半导体信息
Semiconductor Information

基本信息
曾用刊名：半导体信息报

主办单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所

出版周期：双月

出版地：江苏省南京市

语种：中文

开本：16开

创刊时间：1990

出版信息
专辑名称：信息科技

专题名称：无线电电子学

出版文献量：5911 篇

《半导体信息》论文发表目录：
氮化镓挑起半导体界的大梁 进入倒计时1-2
GaN路线之争再起波澜3-6
黑科技氮化镓异质集成芯片问世 号称成突破摩尔定律有效技术路径6-7
为碳化硅开辟新应用领域 英飞凌62mm CoolSiCTM模块问市7-8
安森美推出1200V碳化硅功率模块8
碳化硅（sic）功率器件及其在航天电子产品中的应用前景展望8-10
埃赋隆推出“突破性”Si LDMOS器件 在VHF和UHF应用中效率达到80%10
采用Wolfspeed第三代650V SiC MOSFET突破电源效率屏障10-13
Vishay推出新款30V MOSFET半桥功率级模块输出电流提高11%13
Vishay推出业内最低导通电阻的-30VP沟道MOSFET可提高能效和功率密度13-14
5G毫米波芯片有了新进展 未来市场前景可期14-16
5G毫米波展现惊人潜力 高通已走在前列16-17
杭州电子科技大学成功研发毫米波通信芯片17-18
瑞萨电子推出面向4G/5G基础设施系统的新型射频放大器18-19
Soitec联手Qualcomm为5G射频滤波器大规模生产POI衬底19-20
台积电将推出4nm芯片制程工艺20
台积电2纳米取得突破：传将采用GAA技术或2023～2024年投产20-21
三星半导体死磕台积电：将放弃4纳米工艺直接过渡到3纳米21-23